参数资料
型号: MBRD660CTPBF
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封装: SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3
文件页数: 6/6页
文件大小: 65K
代理商: MBRD660CTPBF
MBRD650CT, MBRD660CT
6
Bulletin PD-20755 rev. C 03/03
www.irf.com
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This product has been designed and qualified for Industrial Level.
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相关PDF资料
PDF描述
MASMBGP6KE120E3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE180CTR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE30E3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE36C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE68E3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRD660CTRL 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD660CTRLG 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD660CTT4 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD660CTT4G 功能描述:肖特基二极管与整流器 6A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD660CTTR 功能描述:肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 60 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel