型号: | MBRD660CTTRR |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
封装: | PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 185K |
代理商: | MBRD660CTTRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MBRB1645/45 | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB745/31 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB10H90/81 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MMBZ4703/E8 | 16 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5250B/E8 | 20 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MBRD660CTTRRPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
MBRD6U60CT | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE |
MBRD835L | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRD835L_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
MBRD835LG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |