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参数资料
| 型号： | MBRD660CTTRR |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MBRD660CTTRR |
Document Number: 94314
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 14-Aug-08
3
MBRD650CTPbF/MBRD660CTPbF
Schottky Rectifier, 2 x 3 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
(Per Leg)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage (Per Leg)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
(Per Leg)
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics (Per Leg)
0.1
1
10
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.2
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
20
50
60
30
40
0
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
10
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
20
10
30
40
60
50
0
T
J = 25 °C
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRD660CT | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| MBRF10100CT-E3/45 | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF10100CT2 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF10100D | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF10200D | 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRD660CTTRRPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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