- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录65808 > MBRD660CTTRRPBF (VISHAY SEMICONDUCTORS) 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRD660CTTRRPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | MBRD660CTTRRPBF |
SCHOTTKY RECTIFIER
6 Amp
MBRD650CT
MBRD660CT
www.irf.com
1
Bulletin PD-20755 rev. C 03/03
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
6
A
waveform
V
RRM
50 - 60
V
I
FSM
@ tp = 5 s sine
490
A
V
F
@3 Apk, T
J
= 125°C
0.65
V
(per leg)
T
J
range
- 40 to 150
°C
Characteristics
Units
Description/ Features
The MBRD650CT, MBRD660CT surface mount, center tap,
Schottky rectifier series has been designed for applications
requiring low forward drop and small foot prints on PC board.
Typical applications are in disk drives, switching power
supplies, converters, free-wheeling diodes, battery charging,
and reverse battery protection.
Popular D-PAK outline
Center tap configuration
Small foot print, surface mountable
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
6.73 (0.26)
6.35 (0.25)
5.46 (0.21)
5.21 (0.20)
4
1.27 (0.05)
0.88 (0.03)
5.97 (0.23)
1 - Anode
2 - Cathode
3 - Anode
4 - Cathode
1.64 (0.02)
1.52 (0.06)
1.15 (0.04)
1.14 (0.04)
0.76 (0.03)
2x
2.28 (0.09)
2x
0.89 (0.03)
0.64 (0.02)
3x
4.57 (0.18)
12
3
6.22 (0.24)
2.38 (0.09)
2.19 (0.08)
6.45 (0.24)
5.68 (0.22)
10.42 (0.41)
9.40 (0.37)
0.46 (0.02)
0.58 (0.02)
1.14 (0.04)
0.89 (0.03)
0.51 (0.02)
MIN.
0.58 (0.02)
0.46 (0.02)
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
5.97 (0.24)
10.67 (0.42)
1.65 (0.06)
6.48 (0.26)
2x
2.54 (0.10)
2x
2.28 (0.09)
2x
Conform to JEDEC outline D-Pak (Similar to TO-252AA)
Dimensions in millimeters and (inches)
D-Pak (TO-252AA)
MBRD650CT
MBRD660CT
Anode
1
3
4
Anode
2
Base
Common
Cathode
Common
Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRD660CTTRLPBF | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| MBRF10150CT | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF10150 | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRF1060 | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRF1090 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRD6U60CT | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE |
| MBRD835L | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRD835L_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier |
| MBRD835LG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRD835L-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。