参数资料
型号: MBRD660CTTRRPBF
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封装: SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3
文件页数: 6/6页
文件大小: 65K
代理商: MBRD660CTTRRPBF
MBRD650CT, MBRD660CT
6
Bulletin PD-20755 rev. C 03/03
www.irf.com
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This product has been designed and qualified for Industrial Level.
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相关PDF资料
PDF描述
MBRD660CTTRLPBF 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
MBRF10150CT 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBRF10150 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRF1060 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRF1090 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRD6U60CT 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRD835L 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD835L_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier
MBRD835LG 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD835L-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879