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参数资料
| 型号： | MBRF10100CT-M3/4W |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MBRF10100CT-M3/4W |
Document Number: 89321
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Revision: 22-Sep-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
MBRF1090CT, MBRF10100CT
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 6 - Typical Junction Capacitanc Per Diode
Fig. 7 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
01
56
2
4.0
3.5
3.0
2.5
1.0
0.5
0
2.0
1.5
34
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
er
Loss
(W)
D = t
p/T
t
p
T
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.8
D = 0.5
D = 1.0
0
0.2
1.6
0.4
100
10
0.1
1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
T
A = 25 °C
T
A = 100 °C
T
A = 125 °C
T
A = 150 °C
0.01
0.001
0.1
1
10
100
0.0001
20
30
10
100
40
50
70
90
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Re
v
e
rse
Current
(mA)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 100 °C
T
A = 25 °C
10
1
100
1000
10 000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.01
10
100
1
10
1
0.1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/W)
Junction to Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB24A | 2 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| MBR30L60CT | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MMBZ5221BVT/R7 | 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228BWT/R7 | 3.91 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5235BWT/R13 | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRF10100CTP | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF10100CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF10100CT-TU | 制造商:LITEON-SEMI 功能描述:10A, 100V, Schottky Diode |
| MBRF10100D | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:10.0AMPS Isolated Schottky Barrier Rectifier |
| MBRF10100D C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 100V SINGLE SCHOTTKY REC ISOLATD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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