型号: | MBRF10H150CT-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 317K |
代理商: | MBRF10H150CT-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MBRF2045CT-G | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBRF2040CT-G | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MC5610SM | 0.79 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
MC68HC05A6FN | 8-BIT, MROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
MC68HC05D32CFN | 8-BIT, MROM, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MBRF10H150CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150 Volt 10A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRF10H150CTG | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 10A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MBRF10H200CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 200 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
MBRF10H200CT C0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 200V 10A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
MBRF10H35 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |