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参数资料
| 型号： | MBRF10H150CT-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | MBRF10H150CT-E3 |
MBR10H150CT, MBRF10H150CT & SB10H150CT-1
Document Number 88779
29-Aug-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Derating Curve (Total)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Per Leg
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Leg
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
175
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (°C)
MBRF
MBR, MBRB
0
20
40
60
80
200
180
160
140
120
100
1
10
100
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
TJ =TJmax
8.3 ms single half-wave
0.1
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.2
100
10
0.1
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
I F
--
Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 175 °C
TJ = 125 °C
TJ =75 °C
TJ =25 °C
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Leg
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Leg
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Leg
0.1
0.01
1
10
100
1000
10000
I R
--
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
10
20
30
50
70
100
40
60
8090
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ = 175 °C
TJ = 125 °C
TJ =75 °C
TJ =25 °C
Junction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
10000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
0.01
1
10
100
10
100
0.1
1
t -- Pulse Duration (sec.)
Transient
Thermal
Impedance
(°
C/W)
MBRF
MBR, MBRB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF2045CT-G | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF2040CT-G | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MC5610SM | 0.79 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MC68HC05A6FN | 8-BIT, MROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
| MC68HC05D32CFN | 8-BIT, MROM, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRF10H150CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150 Volt 10A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF10H150CTG | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MBRF10H200CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 200 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF10H200CT C0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 200V 10A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
| MBRF10H35 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
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