参数资料
型号: MBRM110LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 151K
描述: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
标准包装: 10
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 10V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 365mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500µA @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-216AA
供应商设备封装: Powermite
包装: 标准包装
产品目录页面: 1567 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MBRM110LT1GOSDKR
MBRM110LT1G, NRVBM110LT1G, NRVBM110LT3G
http://onsemi.com
4
T, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
0.001
100
0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1
0.00001
1,000
Rtjl(t) = Rtjl*r(t)
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
Figure 8. Thermal Response Junction to Lead
100
0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1
0.00001
T, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
R
0.001
, TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
(T)
Rtjl(t) = Rtjl*r(t)
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
R , TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
(T)
Figure 9. Thermal Response Junction to Ambient
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MBRM110LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier
MBRM110LT3 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRM110LT3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRM110LT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier
MBRM120E 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier