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参数资料
| 型号： | MBRP40030CTLG |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 200 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | MBRP40030CTLG |
MBRP40030CTL
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, JunctiontoCase (Note 1)
RqJC
0.4
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF = 200 Amps, TC = +25°C)
(iF = 200 Amps, TC = +100°C)
VF
0.5
0.41
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TC = +25°C)
(Rated dc Voltage, TC = +100°C)
IR
20
1000
mA
1. Rating applies when surface mounted on the minimum pad size recommended.
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.
Figure 1. Typical Instantaneous Forward Voltage
Figure 2. Maximum Instantaneous Forward Voltage
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
i F
,INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
0.2
0.1
0
VF, MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.4
0.3
0.6
0.5
0.1
0.05
0
1000
100
10
1
0.3
0.2
0.5
0.4
I F
,INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
TJ = 100°C TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 100°C TJ = 25°C
TJ = 150°C
0.15
0.25
0.35
0.45
1000
100
10
1
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PDF描述 |
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