参数资料
型号: MBRS330T3
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 101K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 4A SMC
产品变化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装: 10
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2mA @ 30V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商设备封装: SMC
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MBRS330T3OSCT
MBRS320T3G, SBRS8320T3G, MBRS330T3G, NRVBS330T3G, MBRS340T3G,
SBRS8340T3G
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
0602025515 51510 30
35 40
1.E?06
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
I
R
, REVERSE CURRENT (AMPS)
TJ
= 25
°C
02
TJ
= 125
°C
TJ
= 100
°C
1.E?
1.E?04
1.E?03
1.E?
1.E?01
0202510 30
35 40
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS)
TJ
= 25
°C
02
TJ
= 125
°C
TJ
= 100
°C
1.E?04
1.E?03
1.E?
1.E?01
090 100 110 120
150
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation
130 140
I
O
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
01230.5
1.5
2.5
3.5
4
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
1.6
4.5 5
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
1
2
3
4
5
SQUARE WAVE
dc
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
2
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
SQUARE
WAVE
dc
IPK/IO
= 5
IPK/IO
=
1.E?05
1
1.2
1.4
1.E?05
Freq = 20 kHz
RJL
= 11
°C/W
Figure 7. Typical Capacitance
700
0
0 1620244812
28 32 40
36
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
100
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
200
300
400
500
600
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 658 pF
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PDF描述
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参数描述
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MBRS330T3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRS330T3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier
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