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参数资料
| 型号： | MBT3906DW1T2 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-88, 6 PIN |
| 文件页数： | 17/30页 |
| 文件大小： | 471K |
| 代理商： | MBT3906DW1T2 |
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8–3
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. PACKAGE CONTOUR OPTIONAL WITHIN DIA B
AND LENGTH A. HEAT SLUGS, IF ANY, SHALL BE
INCLUDED WITHIN THIS CYLINDER, BUT SHALL
NOT BE SUBJECT TO THE MIN LIMIT OF DIA B.
2. LEAD DIA NOT CONTROLLED IN ZONES F, TO
ALLOW FOR FLASH, LEAD FINISH BUILDUP,
AND MINOR IRREGULARITIES OTHER THAN
HEAT SLUGS.
CASE 51–02
(DO–204AA)
DO–7
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
5.84
7.62
0.230
0.300
B
2.16
2.72
0.085
0.107
D
0.46
0.56
0.018
0.022
F
–––
1.27
–––
0.050
K
25.40
38.10
1.000
1.500
All JEDEC dimensions and notes apply.
K
A
D
B
F
K
F
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND ZONE R IS
UNCONTROLLED.
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSIONS D AND J APPLY BETWEEN L AND K
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIM K MINIMUM.
CASE 182–02
PLASTIC
(T0–226AC) TO–92
A
L
K
B
R
F
P
D
H
G
XX
SEATING
PLANE
12
V
N
C
N
SECTION X–X
D
J
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.175
0.205
4.45
5.21
B
0.170
0.210
4.32
5.33
C
0.125
0.165
3.18
4.49
D
0.016
0.022
0.41
0.56
F
0.016
0.019
0.407
0.482
G
0.050 BSC
1.27 BSC
H
0.100 BSC
3.54 BSC
J
0.014
0.016
0.36
0.41
K
0.500
–––
12.70
–––
L
0.250
–––
6.35
–––
N
0.080
0.105
2.03
2.66
P
–––
0.050
–––
1.27
R
0.115
–––
2.93
–––
V
0.135
–––
3.43
–––
STYLE 1:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3904DW1T2 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MBT3906DW1T3 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MBT3946DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MBT3906DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MC-10118BF1-ENY-A | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 GP XSTR PNP 40V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bipolar Transistor 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - SS SC88 GP XSTR PNP 40V |
| MBT3906DW1T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MBT3946DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon |
| MBT3946DW1T1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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