参数资料
型号: MC100ES6039EG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: IC CLK GENERATION CHIP 20-SOIC
标准包装: 37
类型: 时钟发生器
PLL:
输入: ECL,HSTL,LVDS,PECL
输出: ECL,PECL
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:4
差分 - 输入:输出: 是/是
频率 - 最大: 1GHz
除法器/乘法器: 是/无
电源电压: 3.135 V ~ 3.8 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 20-SOIC
包装: 管件
MC100ES6039 Data Sheet
3.3V ECL/PECL/HSTL/LVDS ÷2/4, ÷4/6 CLOCK GENERATION CHIP
MC100ES6039 REVISION 3 FEBRUARY 5, 2013
5
2013 Integrated Device Technology, Inc.
Figure 5. Typical Termination for Output Driver and Device Evaluation
Table 6. AC Characteristics (VCC = 0 V, VEE = –3.8 V to –3.135 V or VCC = 3.135 V to 3.8 V, VEE = 0 V)(1)
1. Measured using a 750 mV source, 50% duty cycle clock source. All loading with 50
to VCC –2.0 V.
Symbol
Characteristic
–40
C25C85C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
fmax
Maximum Frequency
> 1
GHz
tPLH,
tPHL
Propagation Delay
CLK, Q (Diff)
MR, Q
575
500
875
850
575
500
875
850
575
500
875
850
ps
tRR
Reset Recovery
200
100
200
100
200
100
ps
ts
Setup Time
EN, CLK
DIVSEL, CLK
200
400
120
180
200
400
120
180
200
400
120
180
ps
th
Hold Time
CLK, EN
CLK, DIVSEL
100
200
50
140
100
200
50
140
100
200
50
140
ps
tPW
Minimum Pulse Width
MR
550
450
550
450
550
450
ps
tSKEW Within Device Skew
Q, Q
Q, Q @ Same Frequency
Device-to-Device Skew(2)
2. Skew is measured between outputs under identical transitions. Duty cycle skew is defined only for differential operation when the delays are
measured from the cross point of the inputs to the cross point of the outputs.
80
50
300
80
50
300
80
50
300
ps
tJITTER Cycle-to-Cycle Jitter
(RMS 1
)1
1
ps
VPP
Input Voltage Swing (Differential)
150
1400
150
1400
150
1400
mV
VCMR Differential Cross Point Voltage
VEE+0.2
VCC–1.1 VEE+0.2
VCC–1.1
V
tr
tf
Output Rise/Fall Times
Q, Q
(20% – 80%)
50
300
50
300
50
300
ps
Driver
Device
Receiver
Device
QD
50
Q
D
50
VTT
VTT = VCC –- 2.0 V
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PDF描述
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