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参数资料
| 型号： | MC1413BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TRANS ARRAY DARL HV 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC1413BDR2GOSDKR |
MC1413, MC1413B, NCV1413B
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Leakage Current
(VO = 50 V, TA = +85°C)
(VO = 50 V, TA = +25°C)
All Types
ICEX
100
50
mA
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 350 mA, IB = 500 mA)
(IC = 200 mA, IB = 350 mA)
(IC = 100 mA, IB = 250 mA)
All Types
VCE(sat)
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
V
Input Current On Condition
(VI = 3.85 V)
MC1413, B
II(on)
0.93
1.35
mA
Input Voltage On Condition
(VCE = 2.0 V, IC = 200 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 250 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 300 mA)
MC1413, B
VI(on)
2.4
2.7
3.0
V
Input Current Off Condition
(IC = 500 mA, TA = 85°C)
All Types
II(off)
50
100
mA
DC Current Gain
(VCE = 2.0 V, IC = 350 mA)
hFE
1000
Input Capacitance
CI
15
30
pF
TurnOn Delay Time
(50% EI to 50% EO)
ton
0.25
1.0
ms
TurnOff Delay Time
(50% EI to 50% EO)
toff
0.25
1.0
ms
Clamp Diode Leakage Current
(VR = 50 V)
TA = +25°C
TA = +85°C
IR
50
100
mA
Clamp Diode Forward Voltage
(IF = 350 mA)
VF
1.5
2.0
V
NOTE:
NCV1413B Tlow = 40°C, Thigh = +125°C. Guaranteed by design. NCV prefix is for automotive and other applications requiring
site and change control.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-27L-MY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W |
| VE-J5B-MY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W |
| VI-27K-MY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W |
| VE-J5B-MY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W |
| C3216C0G1E683J | CAP CER 0.068UF 25V 5% NP0 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC1413BDR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16 |
| MC1413BP | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BPG | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413D | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413DG | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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