参数资料
型号: MC1413BDR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: IC TRANS ARRAY DARL HV 16SOIC
标准包装: 1
类型: 达林顿晶体管矩阵
驱动器/接收器数: 7/0
电源电压: 5V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1129 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MC1413BDR2GOSDKR
MC1413, MC1413B, NCV1413B
http://onsemi.com
5
MARKING DIAGRAMS
PDIP16
P SUFFIX
CASE 648
1
16
MC1413P
ULN2003A
AWLYYWWG
1
16
MC1413BP
ULQ2003A
AWLYYWWG
MC1413DG
AWLYWW
1
16
MC1413BDG
AWLYWW
1
16
SOIC16
D SUFFIX
CASE 751B
A
= Assembly Location
WL
= Wafer Lot
YY, Y = Year
WW
= Work Week
G
= PbFree Package
NCV1413BDG
AWLYWW
1
16
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PDF描述
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C3216C0G1E683J CAP CER 0.068UF 25V 5% NP0 1206
相关代理商/技术参数
参数描述
MC1413BDR2G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
MC1413BP 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MC1413BPG 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MC1413D 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MC1413DG 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel