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参数资料
| 型号： | MC33152DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.1 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MC33152DR2GOSDKR |
MC34152, MC33152, NCV33152
12V
4.7
0.1
+
6
+
+
-
5.7V
Drive Output
Logic Input
2
7
50
C L
Logic Input
t r , t f ≤ 10 ns
5V
90%
0V
10%
4
5
t PLH
t PHL
10%
Drive Output
90%
3
t r
t f
2.4
Figure 2. Switching Characteristics Test CIrcuit
2.2
Figure 3. Switching Waveform Definitions
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V CC = 12 V
T A = 25 ° C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Lower Threshold
High State Output
V CC = 12 V
Upper Threshold
Low State Output
0
0
2.0
4.0 6.0 8.0
10
12
1.0
- 55
- 25
0 25 50 75
100
125
V in , INPUT VOLTAGE (V)
Figure 4. Logic Input Current versus Input Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Logic Input Threshold Voltage
versus Temperature
V CC = 12 V
200
160
V CC = 12 V
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
Overdrive Voltage is with Respect
to the Logic Input Lower Threshold
200
160
Overdrive Voltage is with Respect
to the Logic Input Upper Threshold C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
120
80
40
120
80
40
0
V th(lower)
-1.6 -1.2 - 0.8 - 0.4 0
0
0
V th(upper)
1
2
3
4
V in , INPUT OVERDRIVE VOLTAGE BELOW LOWER THRESHOLD (V)
Figure 6. Drive Output High to Low Propagation
Delay versus Logic Input Overdrive Voltage
V in , INPUT OVERDRIVE VOLTAGE ABOVE UPPER THRESHOLD (V)
Figure 7. Drive Output Low to High Propagation
Delay versus Logic Input Overdrive Voltage
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC34152DR2G | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| GCM12DCMS | CONN EDGECARD 24POS .156 WW |
| RNM-1215S/HP | CONV DC/DC 1W 12VIN 15VOUT |
| EBM10DTBS | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| RNM-1212S/HP | CONV DC/DC 1W 12VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33152P | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33152PG | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33152VDG | 功能描述:功率驱动器IC ANA HI SPD DUAL DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33152VDR2 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33152VDR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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