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参数资料
| 型号： | MC33152DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.1 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MC33152DR2GOSDKR |
MC34152, MC33152, NCV33152
I B
+
V in
V in
0
R g(off)
R g(on)
-
Base
Charge
Removal
C 1
In noise sensitive applications, both conducted and radiated EMI can
be reduced significantly by controlling the MOSFET's turn-on and
turn-off times.
Figure 22. Controlled MOSFET Drive
V CC = 15V
The totem-pole outputs can furnish negative base current for
enhanced transistor turn-off, with the addition of capacitor C 1 .
Figure 23. Bipolar Transistor Drive
47
+
+
0.1
6
+
-
5.7V
2
7
6.8
10
+
1N5819
+ V O ≈ 2 .0V CC
+
47
V CC
2N3904
10k
4
5
6.8
10
+
1N5819
- V O ≈ -V CC
100k
330
pF
47
+
3
Output Load Regulation
The capacitor's equivalent series resistance limits the Drive Output Current to 1.5 A. An
additional series resistor may be required when using tantalum or other low ESR capacitors.
Figure 24. Dual Charge Pump Converter
I O (mA)
0
1.0
10
20
30
50
+V O (V)
27.7
27.4
26.4
25.5
24.6
22.6
? V O (V)
? 13.3
? 12.9
? 11.9
? 11.2
? 10.5
? 9.4
http://onsemi.com
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC34152DR2G | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| GCM12DCMS | CONN EDGECARD 24POS .156 WW |
| RNM-1215S/HP | CONV DC/DC 1W 12VIN 15VOUT |
| EBM10DTBS | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| RNM-1212S/HP | CONV DC/DC 1W 12VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33152P | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| MC33152VDR2 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33152VDR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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