参数资料
| 型号： | MC33178DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LP LOW NOISE 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 2 V/µs |
| 增益带宽积： | 5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 1500µV |
| 电流 - 电源： | 1.7mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 36 V，±2 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1130 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC33178DR2GOSDKR |
MC33178, MC33179
http://onsemi.com
10
Figure 28. Input Referred Noise Voltage
versus Frequency
Figure 29. Input Referred Noise Current
versus Frequency
Figure 30. Percent Overshoot versus
Load Capacitance
Figure 31. Noninverting Amplifier Slew Rate
Figure 32. Small Signal Transient Response
Figure 33. Large Signal Transient Response
t, TIME (2.0
ms/DIV)
t, TIME (5.0
ms/DIV)
VCC = +15 V
VEE = 15 V
AV = +1.0
RL = 600 W
CL = 100 pF
TA = 25°C
t, TIME (2.0 ns/DIV)
V
O
f, FREQUENCY (Hz)
10
100
1.0 k
10 k
e,
INPUT
REFERRED
NOISE
VOL
TAGE
()
n
nV/
Hz
√
VCC = +15 V
VEE = 15 V
TA = 25°C
f, FREQUENCY (Hz)
i,
INPUT
REFERRED
NOISE
CURRENT
()
n
10
100
1.0 k
10 k
100 k
VCC = +15 V
VEE = 15 V
TA = 25°C
pA/
Hz
√
CL, LOAD CAPACITANCE (pF)
PERCENT
OVERSHOOT
(%)
10
100
1.0 k
10 k
VCC = +15 V
VEE = 15 V
TA = 25°C
RL = 600 W
RL = 2.0 kW
VCC = +15 V
VEE = 15 V
AV = +1.0
RL = 600 W
CL = 100 pF
TA = 25°C
VCC = +15 V
VEE = 15 V
AV = +1.0
RL = 600 W
CL = 100 pF
TA = 25°C
,
OUTPUT
VOL
TAGE
(50
mV/DIV)
V
O
,
OUTPUT
VOL
TAGE
(5.0
V/DIV)
V
O
,
OUTPUT
VOL
TAGE
(5.0
V/DIV)
20
18
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Input Noise Voltage Test
Circuit
+
VO
VO
Input Noise Current Test Circuit
RS
(RS = 10 kW)
+
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PDF描述 |
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参数描述 |
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