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参数资料
| 型号： | MC33290DR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SER LNK INTER ISO KLINE 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 自动 |
| 接口： | 串行 |
| 电源电压： | 8 V ~ 18 V |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 其它名称： | MC33290DR2CT |
Analog Integrated Circuit Device Data
Freescale Semiconductor
7
33290
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ARCHIVE
INFORMATION
ARCHIVE
INFORMATION
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Dynamic Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions of 4.75 V
≤ V
DD ≤ 5.25 V, 8.0 V ≤ VBB ≤ 18 V, -40°C ≤ TC ≤ 125°C, unless otherwise
noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Fall Time (19)
RISO = 510 Ω to VBB, CISO = 10 nF to Ground
tfall(ISO)
–
2.0
s
ISO Propagation Delay (20)
High to Low: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF
Low to High: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF
tPD(ISO)
–
2.0
s
Notes
19.
Time required ISO voltage to transition from 0.8 VBB to 0.2 VBB.
20.
Changes in the value of CISO affect the rise and fall time but have minimal effect on Propagation Delay.
21.
Step TX voltage from 0.2 VDD to 0.8 VDD. Time measured from VIH(ISO) until VISO reaches 0.3 VBB.
22.
Step TX voltage from 0.8 VDD to 0.2 VDD. Time measured from VIL(ISO) until VISO reaches 0.7 VBB.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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