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参数资料
| 型号： | MC33389DDWR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/49页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYSTEM BASE W/CAN 28-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 控制器类型： | 系统基础芯片 |
| 接口： | CAN |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 18 V |
| 电流 - 电源： | 45mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MC33389DDWR2CT |
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Analog Integrated Circuit Device Data
12
Freescale Semiconductor
33389
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
CONTROL INTERFACE (CONTINUED)
RX, INT, MISO High Level Output Voltage
I0 = -250 A
VOH
V1 - 0.9
—
V1
V
RX, INT, MISO Low Level Output Voltage
I0 = -1.5 mA
VOL
0.0
—
0.9
V
RX, INT, MISO Tri-Stated SO Output Current
0 V < VSO < V1
IZ
-2.0
—
+2.0
A
RST High Level Input Voltage
VIH
0.7 V1
—
V1 + 0.3 V
—
RST Low Level Input Voltage
VIL
-0.3
—
-0.3 V1
V
RST High Level Output Current 1
0.0 < VOUT < 0.5 V1
IRSTH1
-50
-30
-10
A
RST High Level Output Current 2
0.5 < VOUT < V1
IRSTH2
—
-300
—
A
RST Low Level Output Voltage (I0 = 1.5 mA)
1.0 V < VBAT < 27 V
VRST
0.0
—
0.9
V
LX/Wake-Up Positive Switching Threshold
6.0 V <VBAT < 16 V
VWUP
3.0
3.7
4.5
V
LX/Wake-Up Negative Switching Threshold
6.0 V <VBAT < 16 V
VWUN
2.5
3.0
3.8
V
LX/Wake-Up Hysteresis
6.0 V <VBAT < 16 V
VHYS
—
700
—
mA
LX/Wake-Up Leakage Current 0 < VWU < VBAT
ILXWU
-5.0
—
+5.0
A
LX Input Current at 40 V
VIN
—
350
600
A
Table 4. Static Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions VBAT, -40°C ≤ TA ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values noted reflect the
approximate parameter means at TA = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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