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参数资料
| 型号： | MC68HC711D3CFN2 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, OTPROM, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-44 |
| 文件页数： | 10/138页 |
| 文件大小： | 1047K |
| 代理商： | MC68HC711D3CFN2 |
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DC Electrical Characteristics
MC68HC711D3 Data Sheet, Rev. 2.1
Freescale Semiconductor
107
9.5 DC Electrical Characteristics
Characteristic(1)
1. VDD = 5.0 Vdc ±10%, VSS = 0 Vdc, TA = TL to TH, unless otherwise noted.
Symbol
Min
Max
Unit
Output voltage(2)
All outputs
ILoad = ± 10.0 A
All outputs except RESET and MODA
2. VOH specification for RESET and MODA is not applicable because they are open-drain pins. VOH specification is not
applicable to ports C and D in wired-OR mode.
VOL
VOH
—
VDD – 0.1
0.1
—
V
Output high voltage(1)
All outputs except
ILoad = – 0.8 mA, VDD = 4.5 V
RESET, EXTAL, and MODA
VOH
VDD – 0.8
—
V
Output low voltage
All outputs except XTAL
ILoad = 1.6 mA
VOL
—
0.4
V
Input high voltage
All inputs except RESET
RESET
VIH
0.7 x VDD
0.8 x VDD
VDD + 0.3
V
Input low voltage All inputs
VIL
VSS – 0.3
0.2 x VDD
V
I/O ports, three-state leakage PA7, PA3, PC7–PC0, PD7–PD0, VIn = VIH
or VIL
MODA/LIR, RESET
IOZ
—
±10
A
Input leakage current
VIn = VDD or VSS
IRQ, XIRQ
VIn = VDD or VSS
MODB/VSTBY
IIn
—
±1
±10
A
RAM standby voltage
Power down
VSB
4.0
VDD
V
RAM standby current
Power down
ISB
—
20
A
Total supply current(3)
RUN:
Single-chip mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
Expanded multiplexed mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
WAIT — All peripheral functions shut down:
Single-chip mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
Expanded multiplexed mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
STOP — No clocks, single-chip mode:
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
3. All ports configured as inputs: VIL ≤ 0.2 V, VIH ≤ VDD –0.2 V; no dc loads; EXTAL is driven with a square wave;
tcyc = 476.5 ns.
IDD
WIDD
SIDD
—
15
27
35
6
15
10
20
100
150
mA
A
Input capacitancePA3–PA0, IRQ, XIRQ, EXTAL
PA7, PC7–PC0, PD7–PD0, MODA/LIR, RESET
CIn
—
8
12
pF
Power dissipation
Single-chip mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
Expanded multiplexed mode
dc — 2 MHz
dc — 3 MHz
PD
—
85
150
195
mW
EPROM programming voltage
VPP
11.75
12.75
V
EPROM programming time
tPP
24
ms
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