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参数资料
| 型号： | MC68HC908JK1EMP |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP20 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-20 |
| 文件页数： | 72/180页 |
| 文件大小： | 2412K |
| 代理商： | MC68HC908JK1EMP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页当前第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页
MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
163
A.5.6 Memory Characteristics
The Flash memory can only be read at an operating voltage of 2.2 to 5.5V. Program and erase are
achieved at an operating voltage of 2.7 to 5.5V. The program and erase parameters in Table A-6 are for
VDD = 2.7 to 5.5V only.
Table A-6. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
Flash program bus clock frequency
—
1
—
MHz
Flash read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the Flash memory can be read.
32k
8M
Hz
Flash page erase time
tErase
(2)
2. If the page erase time is longer than tErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash mem-
ory.
1—
ms
Flash mass erase time
tMErase
(3)
3. If the mass erase time is longer than tMErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash
memory.
4—
ms
Flash PGM/ERASE to HVEN set up time
tnvs
10
—
μs
Flash high-voltage hold time
tnvh
5—
μs
Flash high-voltage hold time (mass erase)
tnvhl
100
—
μs
Flash program hold time
tpgs
5—
μs
Flash program time
tPROG
30
40
μs
Flash return to read time
trcv
(4)
4. trcv is defined as the time it needs before the Flash can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to 0.
1—
μs
Flash cumulative program hv period
tHV
(5)
5. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tnvs + tnvh + tpgs + (tPROG × 32) ≤ tHV max.
—4
ms
Flash row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash data retention time(8)
8. The Flash is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time specified.
—
10
—
years
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PDF描述 |
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