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参数资料
| 型号： | MC68HLC908QT4FQ |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC8 |
| 封装： | DFN-8 |
| 文件页数： | 114/186页 |
| 文件大小： | 2765K |
| 代理商： | MC68HLC908QT4FQ |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页当前第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页
Memory
FLASH Memory (FLASH)
MC68HLC908QY/QT Family — Rev. 2
Data Sheet
MOTOROLA
Memory
33
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass Erase operation selected
0 = Mass Erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is
interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1
at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is
interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be equal to 1 or set
to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
2.6.2 FLASH Page Erase Operation
Use the following procedure to erase a page of FLASH memory. A page consists
of 64 consecutive bytes starting from addresses $XX00, $XX40, $XX80, or $XXC0.
The 48-byte user interrupt vectors area also forms a page. Any FLASH memory
page can be erased alone.
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range of the block
to be erased.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tErase (minimum 1 ms or 4 ms).
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode
again.
NOTE:
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by code being
executed from the FLASH memory. While these operations must be performed in
the order as shown, but other unrelated operations may occur between the steps.
CAUTION:
A page erase of the vector page will erase the internal oscillator trim value at
$FFC0.
F
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r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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