参数资料
| 型号： | MC74HCT366ADR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER INV HEX 3ST 16-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 74HCT |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 6 |
| 输入数： | 1 |
| 特点： | 三态 |
| 电源电压： | 2 V ~ 6 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 4µA |
| 输出电流高，低： | 7.8mA，7.8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.8V |
| 逻辑电平 - 高： | 2V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 20ns @ 6V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC74HCT366A
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Symbol
Unit
Guaranteed Limit
VCC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v 125_C
v 85_C
– 55 to
25_C
VCC
V
Test Conditions
Parameter
IOZ
Maximum ThreeState
Leakage Current
Output in HighImpedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0
± 0.5
± 5.0
± 10
μA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 μA
6.0
4
40
160
μA
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Symbol
Parameter
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
120
60
24
20
150
75
30
26
180
90
36
31
ns
tPLZ,
tPHZ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Output Y
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
220
110
44
37
275
140
55
47
330
170
66
56
ns
tPZL,
tPZH
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Output Y
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
220
110
44
37
275
140
55
47
330
170
66
56
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
6.0
60
22
12
10
75
28
15
13
90
34
18
15
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
—
10
pF
Cout
Maximum ThreeState Output Capacitance
(Output in HighImpedance State)
—
15
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
60
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
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