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参数资料
型号： MC74VHC1G135DTT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 门电路
英文描述： AHC/VHC SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO5
封装： SC-59, SOT-23, TSOP-5
文件页数： 6/12页
文件大小： 129K
代理商： MC74VHC1G135DTT3
MC74VHC1G135
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
–55
≤ TA ≤ 125°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
(V)
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
VT+
Positive Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
1.50
2.35
2.80
1.88
2.66
3.21
2.25
3.10
3.70
1.50
2.35
2.80
2.25
3.10
3.70
1.50
2.35
2.80
2.25
3.10
3.70
V
VT–
Negative Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
0.65
1.10
1.45
1.03
1.62
2.02
1.40
2.10
2.60
0.65
1.10
1.45
1.40
2.10
2.60
0.65
1.10
1.45
1.40
2.10
2.60
V
VH
Hysteresis Voltage
3.0
4.5
5.5
0.30
0.40
0.50
0.85
1.05
1.20
1.60
2.00
2.25
0.30
0.40
0.50
1.60
2.00
2.25
0.30
0.40
0.50
1.60
2.00
2.25
V
VOH
Minimum High–Level
Output Voltage
IOH = –50A
VIN = VIH or VIL
IOH = –50 A
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
OH
IOH = –4 mA
IOH = –8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
V
VOL
Maximum Low–Level
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 A
2.0
3.0
4.5
0.0
0.1
V
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
V
IIN
Maximum Input
Leakage Current
VIN = 5.5 V or GND
0 to
5.5
±0.1
±1.0
A
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
VIN = VCC or GND
5.5
2.0
20
40
A
IOPD
Maximum Off–state
Leakage Current
VOUT = 5.5 V
0
0.25
2.5
5.0
A
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Cload = 50 pF, Input tr/tf = 3.0 ns
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
–55
≤ TA ≤ 125°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
tPZL
Maximum Output
Enable Time,
AB t Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 15 pF
RL = RI = 500 W
CL = 50 pF
7.6
10.1
11.9
15.4
1.0
14.0
17.5
1.0
16.1
19.6
ns
A or B to Y
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 15 pF
RL = RI = 500 W
CL = 50 pF
4.9
6.4
7.7
9.7
1.0
9.0
11.0
1.0
10.3
12.3
tPLZ
Maximum Output
Disable Time
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 50 pF
RL = RI = 500 W
10.1
15.4
17.5
19.6
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 50 pF
RL = RI = 500 W
6.4
9.7
11.0
12.3
CIN
Maximum Input
Capacitance
5.0
10
10
10
pF
Typical @ 25
°C, VCC = 5.0 V
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 6.)
16
pF
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the no–load dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述
MC74VHC1G14DFR2 AHC/VHC SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5
MC74VHC1G14DTR2 AHC/VHC SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5
MC74VHC1G14DFR2 AHC/VHC SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5
MC74VHC1G14DTR2 AHC/VHC SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5
MC74VHC1G50DFT4 AHC/VHC SERIES, 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO5
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参数描述
MC74VHC1G14DFT1 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DFT1G 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single Schmitt Input RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DFT2 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DFT2G 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single Schmitt Input RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DTT1 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
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