参数资料
型号: MC908GR32ACFJE
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 266/314页
文件大小: 0K
描述: IC MCU 32K FLASH 8MHZ 32-LQFP
标准包装: 1,250
系列: HC08
核心处理器: HC08
芯体尺寸: 8-位
速度: 8MHz
连通性: SCI,SPI
外围设备: LVD,POR,PWM
输入/输出数: 21
程序存储器容量: 32KB(32K x 8)
程序存储器类型: 闪存
RAM 容量: 1.5K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 24x10b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-LQFP
包装: 托盘
产品目录页面: 726 (CN2011-ZH PDF)
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FLASH-2 Memory (FLASH-2)
MC68HC908GR60A MC68HC908GR48A MC68HC908GR32A Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
55
2.7.6 FLASH-2 Program Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 64 consecutive bytes with
address ranges as follows:
$XX00 to $XX3F
$XX40 to $XX7F
$XX80 to $XXBF
$XXC0 to $XXFF
During the programming cycle, make sure that all addresses being written to fit within one of the ranges
specified above. Attempts to program addresses in different row ranges in one programming cycle will fail.
NOTE
Only bytes which are currently $FF may be programmed.
Use this step-by-step procedure to program a row of FLASH-2 memory:
1.
Set the PGM bit in the FLASH-2 control register (FL2CR). This configures the memory for program
operation and enables the latching of address and data programming.
2.
Read the FLASH-2 block protect register (FL2BPR).
3.
Write to any FLASH-2 address within the row address range desired with any data.
4.
Wait for time, tNVS (minimum 10 μs).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for time, tPGS (minimum 5 μs).
7.
Write data byte to the FLASH-2 address to be programmed.
8.
Wait for time, t PROG (minimum 30 μs).
9.
Repeat step 7 and 8 until all the bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit.
11.
Wait for time, tNVH (minimum 5 μs).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
Wait for a time, tRCV, (typically 1 μs) after which the memory can be accessed in normal read mode.
The FLASH programming algorithm flowchart is shown in Figure 2-10.
NOTE
A. Programming and erasing of FLASH locations can not be performed by code being executed from the
same FLASH array.
B. While these operations must be performed in the order shown, other unrelated operations may occur
between the steps. However, care must be taken to ensure that these operations do not access any
address within the FLASH array memory space such as the COP control register (COPCTL) at
$FFFF.
C. It is highly recommended that interrupts be disabled during program/erase operations.
D. Do not exceed t PROG maximum or tHV maximum. tHV is defined as the cumulative high voltage
programming time to the same row before next erase. t
HV must satisfy this condition:
tNVS+ tNVH + tPGS + (tPROG X 64) tHV maximum
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PDF描述
MK60DN256ZVLL10 IC ARM CORTEX MCU 256KB 100LQFP
502781-1 ADAPTER F/OPTIC SC/FC BLK
502780-1 ADAPTER F/OPTIC SC/ST BLK
502632-8 ADAPTER SC METAL SIMPLEX BLUE
1061541030 ADPT OPT SGL/MULTMODE SC-LC BGE
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参数描述
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