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参数资料
| 型号： | MC908KX8MDWER2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 139/210页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8K FLASH 4/8MHZ 16-SOICW |
| 标准包装： | 47 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | SCI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 192 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Memory
MC68HC908KX8 MC68HC908KX2 MC68HC08KX8 Data Sheet, Rev. 2.1
34
Freescale Semiconductor
2.9 FLASH Program/Read Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0, and $XXE0. Use this
step-by-step procedure to program a row of FLASH memory (Figure 2-4 is a flowchart representation).
NOTE
Only bytes which are currently $FF may be programmed.
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range desired.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tPGS (minimum 5 s).
7.
Write data to the FLASH address being programmed(1).
8.
Wait for time, tPROG (minimum 30 s).
9.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit(1).
11.
Wait for time, tNVH (minimum 5 s).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 s), the memory can be accessed in read mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order shown, other unrelated operations may
1. The time between each FLASH address change, or the time between the last FLASH address programmed to clearing
PGM bit, must not exceed the maximum programming time, tPROG maximum.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MC908KX8VPE | 功能描述:IC MCU 8MHZ 8K FLASH 16-DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB（8K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285 |
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| MC908LB8MDWER | 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8BIT ADC 20-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB（8K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285 |
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