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参数资料
| 型号： | MC9S08RG60FGE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 177/234页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 60K FLASH 8MHZ 44-LQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 39 |
| 程序存储器容量： | 60KB（60K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | DEMO9S08RG60E-ND - BOARD DEMO S08RG/RC/RD/RE FAMILY |
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Memory
MC9S08RC/RD/RE/RG Data Sheet, Rev. 1.11
Freescale Semiconductor
47
Writing to a FLASH address before the internal FLASH clock frequency has been set by writing
to the FCDIV register
Writing to a FLASH address while FCBEF is not set (A new command cannot be started until the
command buffer is empty.)
Writing a second time to a FLASH address before launching the previous command (There is only
one write to FLASH for every command.)
Writing a second time to FCMD before launching the previous command (There is only one write
to FCMD for every command.)
Writing to any FLASH control register other than FCMD after writing to a FLASH address
Writing any command code other than the ve allowed codes ($05, $20, $25, $40, or $41) to
FCMD
Accessing (read or write) any FLASH control register other than the write to FSTAT (to clear
FCBEF and launch the command) after writing the command to FCMD
The MCU enters stop mode while a program or erase command is in progress (The command is
aborted.)
Writing the byte program, burst program, or page erase command code ($20, $25, or $40) with a
background debug command while the MCU is secured (The background debug controller can
only do blank check and mass erase commands when the MCU is secure.)
Writing 0 to FCBEF to cancel a partial command
4.4.6
FLASH Block Protection
Block protection prevents program or erase changes for FLASH memory locations in a designated address
range. Mass erase is disabled when any block of FLASH is protected. The MC9S08RC/RD/RE/RG allows
a block of memory at the end of FLASH, and/or the entire FLASH memory to be block protected. A
disable control bit and a 3-bit control eld, for each of the blocks, allows the user to independently set the
size of these blocks. A separate control bit allows block protection of the entire FLASH memory array. All
seven of these control bits are located in the FPROT register (see Section 4.6.4, “FLASH Protection
At reset, the high-page register (FPROT) is loaded with the contents of the NVPROT location that is in the
nonvolatile register block of the FLASH memory. The value in FPROT cannot be changed directly from
application software so a runaway program cannot alter the block protection settings. If the last 512 bytes
of FLASH (which includes the NVPROT register) is protected, the application program cannot alter the
block protection settings (intentionally or unintentionally). The FPROT control bits can be written by
background debug commands to allow a way to erase a protected FLASH memory.
One use for block protection is to block protect an area of FLASH memory for a bootloader program. This
bootloader program then can be used to erase the rest of the FLASH memory and reprogram it. Because
the bootloader is protected, it remains intact even if MCU power is lost during an erase and reprogram
operation.
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S08RG60FJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC9S08RG60FJE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9S08 2K RAM 60K RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08RG60PE | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC9S08RX32AFE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC9S08SC4 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MC9S08SC4 8-Bit Microcontroller Data Sheet |
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