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参数资料
| 型号： | MC9S12DG256MPVE |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封装： | LQFP-112 |
| 文件页数： | 7/132页 |
| 文件大小： | 782K |
| 代理商： | MC9S12DG256MPVE |
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MC9S12DT256 Device User Guide V03.07
104
A.3.1.3 Sector Erase
Erasing a 512 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4 unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock (MC9S12DT256C< V, M)
fNVMOSC
0.5
50 1
NOTES:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
fNVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
fNVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
tswpgm
46 2
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP and maximum bus frequency
fbus.
74.5 3
s
5D Flash Burst Programming consecutive word 4
tbwpgm
20.4 2
31 3
s
6D Flash Burst Programming Time for 32 Words 4
tbrpgm
678.4 2
1035.5 3
s
7
P Sector Erase Time
tera
20 5
26.7 3
ms
8
P Mass Erase Time
tmass
100 5
133 3
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
tcheck
11 6
32778 7
tcyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
tcheck
11 6
20587
tcyc
tera 4000
1
fNVMOP
---------------------
≈
tmass 20000
1
fNVMOP
---------------------
≈
tcheck location tcyc 10 tcyc
+
≈
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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