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参数资料
| 型号： | MCD224-22IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD THYRISTOR/DIODE 2200V Y1-CU |
| 其它有关文件： | SCR Module Selection Guide |
| 标准包装： | 3 |
| 结构： | 串联 - SCR/二极管 |
| SCR 数目，二极管： | 1 SCR，1 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 2200V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 150mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 240A |
| 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）： | 400A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 8000A，8500A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 200mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y1-CU |
| 包装： | 散装 |
MCC 224
MCD 224
8000
10 6
400
80% V
6000
4000
50 Hz
RRM
T VJ = 45 C
T VJ = 130 C
10 5
V R = 0V
350
300
250
200
DC
180 sin
120
60
30
150
2000
100
50
0
10 4
0
0.001
0.01
0.1
1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
t [s]
Fig. 4 Surge overload current
I TSM : Crest value, t: duration
t [ms]
Fig. 5 i 2 t versus time (1-10 ms)
T C [ C]
Fig. 5a Maximum forward current
at case temperature
500
R thKA K/W
0.1
400
300
200
100
DC
180 sin
120
60
30
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
1
Fig. 6 Power dissipation vs. on-state
current and ambient temperature
0
0
100
200
300
0
25
50
75
100
125
150
I TAVM [A]
T A [ C]
2000
R thKA K/W
0.03
0.05
1500
1000
Circuit
0.08
0.1
0.15
0.2
0.3
500
0
B6
3xMCC224
Fig. 7 Three phase rectifier bridge:
Power dissipation vs. direct output
current and ambient temperature
0
200
400
600
0
25
50
75
100
125
150
I davm
[A]
T A [ C]
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2013 IXYS All rights reserved
20130813f
4-4
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCD225-14io1 | 功能描述:分立半导体模块 225 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MCD225-16io1 | 功能描述:分立半导体模块 225 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MCD225-18io1 | 功能描述:分立半导体模块 225 Amps 1800V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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