参数资料
型号: MCF5211CEP66
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 25/56页
文件大小: 0K
描述: IC MCU 128K FLASH 66MHZ 64-QFN
标准包装: 260
系列: MCF521x
核心处理器: Coldfire V2
芯体尺寸: 32-位
速度: 66MHz
连通性: CAN,I²C,SPI,UART/USART
外围设备: DMA,LVD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 33
程序存储器容量: 128KB(128K x 8)
程序存储器类型: 闪存
RAM 容量: 16K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 3.6 V
数据转换器: A/D 8x12b
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 64-VFQFN 裸露焊盘
包装: 托盘
配用: M5211DEMO-ND - KIT DEMO FOR MCF5211
Electrical Characteristics
MCF5213 ColdFire Microcontroller, Rev. 3
Freescale Semiconductor
31
2.5
ESD Protection
2.6
DC Electrical Specifications
Table 25. ESD Protection Characteristics1, 2
1 All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q100 Stress Test Qualification for
Automotive Grade Integrated Circuits.
2 A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer
meets the device specification requirements. Complete DC parametric and functional
testing is performed per applicable device specification at room temperature followed by
hot temperature, unless specified otherwise in the device specification.
Characteristics
Symbol
Value
Units
ESD target for Human Body Model
HBM
2000
V
ESD target for Machine Model
MM
200
V
HBM circuit description
Rseries
1500
Ω
C
100
pF
MM circuit description
Rseries
0
Ω
C
200
pF
Number of pulses per pin (HBM)
Positive pulses
Negative pulses
1
Number of pulses per pin (MM)
Positive pulses
Negative pulses
3
Interval of pulses
1
sec
Table 26. DC Electrical Specifications 1
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Supply voltage
VDD
3.0
3.6
V
Standby voltage
VSTBY
3.0
3.6
V
Input high voltage
VIH
0.7
× V
DD
4.0
V
Input low voltage
VIL
VSS – 0.3
0.35
× V
DD
V
Input hysteresis
VHYS
0.06
× V
DD
—mV
Low-voltage detect trip voltage (VDD falling)
VLVD
2.15
2.3
V
Low-voltage detect hysteresis (VDD rising)
VLVDHYS
60
120
mV
Input leakage current
Vin = VDD or VSS, digital pins
Iin
–1.0
1.0
μA
Output high voltage (all input/output and all output pins)
IOH = –2.0 mA
VOH
VDD – 0.5
V
Output low voltage (all input/output and all output pins)
IOL = 2.0mA
VOL
—0.5
V
相关PDF资料
PDF描述
VE-B4H-IX-B1 CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
VE-B4H-IW-B1 CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W
S9S12C64J2CFAE IC MCU 16BIT 64KB FLASH 48LQFP
S912XET256J2MAA MCU 16BIT 256K FLASH 80QFP
MC908GR8ACDWE IC MCU 8BIT 8K FLASH 28-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
MCF5211LCEP66 功能描述:32位微控制器 - MCU MCF5211 KIRIN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT
MCF5211LCVM66 功能描述:IC MCU 128K FLASH 66MHZ 81MAPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:MCF521x 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB(8K x 8) 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285
MCF5211LCVM80 功能描述:IC MCU 128K FLASH 80MHZ 81MAPBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:MCF521x 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB(8K x 8) 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285
MCF5212 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:ColdFire Microcontroller
MCF5212CAE66 功能描述:32位微控制器 - MCU MCF5212 KIRIN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT