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参数资料
| 型号： | MCH3374-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 3-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH3374
e a r
10
1m μ s
10
0m
tio
Ta
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --6V
ID= --3A
VGS -- Qg
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
IDP= --12A
ID= --3A
ASO
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
10
n(
s
PW ≤ 10 μ s
0
s
ms
=
)
--1.0
--0.5
0
7
5
3
2
--0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm 2 × 0.8mm)
0
1
2
3
4
5
6
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
2 3
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT12606
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12607
am
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
M
ou
nt
ed
on
ac
er
ic
bo
ar
d(
90
0m
m 2
× 0
.8
m
m
)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT12608
No. A0857-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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