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参数资料
| 型号： | MCH3383-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 69 毫欧 @ 1.5A，2.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 2.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1010pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 3-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH3383
10000
7
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
--2.5
VDS= --6V
ID= --3.5A
VGS -- Qg
3
2
1000
7
5
3
Ciss
--2.0
--1.5
2
100
7
5
3
2
Coss
Crss
--1.0
--0.5
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
0
0
1
2
3
4
5
6
7
1m 1 0
DC
op
ms
e r a t 100
a=
25
° C
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP= --14A (PW ≤ 10 μ s)
0
s μ s
ID= --3.5A
10
i o n ms
(T
Operation in this area )
IT16297
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16298
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
--0.1 is limited by RDS(on).
7
5
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
--0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2 3
5 7--100
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16299
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16300
No.9000-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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