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参数资料
| 型号： | MCH3479-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 3.5A 20V MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 64 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH3479
4.0
ID -- VDS
5
ID -- VGS
VDS=10V
3.5
4
3.0
2.5
2.0
3
1.5
1.5V
2
1.0
1
0.5
VGS=1.2V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15111
Ta=25°C
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT15112
180
160
I D=0.5A
140
=0.5
=1.8
140
120
1.0A
1.5A
120
100
VGS
V, I D
A
=1.0
=2.5
.5A
I =1
4.5V, D
100
80
60
80
60
VGS
VG S=
V, I D
A
40
40
20
20
0
0
2
4
6
8
10
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
| y fs | -- ID
IT15113
VDS=10V
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15114
3
3
2
2
1.0
a=
5 ° C
1.0
T
--2
75
° C
7
5
3
7
2
5
3
2
25
° C
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
VDD=10V
VGS=4.5V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15115
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15116
f=1MHz
3
2
10
7
5
td(off)
tf
tr
td(on)
3
2
100
7
5
3
2
Ciss
C o ss
Crss
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT15117
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15118
No. A1813-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3481-TL-H | MOSFET N-CH 2A 20V MCPH3 |
| MCH3484-TL-H | MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3 |
| MCH6321-TL-E | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3481 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low Votage Drive Switching Device Applications |
| MCH3481-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.2V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH3484 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3484_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3484-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 0.9V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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