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参数资料
| 型号： | MCH6321-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 83 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6321
--3.0
ID -- VDS
--5
ID -- VGS
VDS= --10V
--2.5
--2.0
--4
--1.5
--1.5V
--3
--2
--1.0
--0.5
--1
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
0
300
0
--0.1
VGS= --1.0V
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13008
Ta=25°C
0
250
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--2.5
IT13009
250
200
--0.2A
--1.8V
, I D=
VGS
I = --
2.5V, D
V GS=
--2.0A
--4.5V D
V GS=
200
150
100
50
ID= --0.2A
--1.0A
--2.0A
150
100
50
=
--
,I =
1.0A
5
0
10
7
5
0
--1
--2 --3 --4 --5 --6 --7 --8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT13026
y fs -- ID
VDS= --10V
0
--60
--10
7
3
2
--40
--20
0 20 40 60 80 100
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
120 140 160
IT13027
VGS=0V
5 °
--2
25
5
5
3
2
1.0
7
5
Ta
=
C
75
° C
° C
--1.0
7
3
2
--0.1
7
3
2
SW Time -- ID
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
2
0.1
--0.01
2
100
7
5
2
3
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
td (off)
tf
2 3 5 7 --10
IT13012
VDD= --10V
VGS= --4V
--0.01
7
3
2
--0.001
1000
7
5
3
2
0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT13013
Ciss
f=1MHz
3
2
10
7
tr
td(on)
100
7
5
3
C o ss
Crss
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0 2
Drain Current, ID -- A
3
5
7 --10
IT13014
2
0
--2
--4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--18 --20
IT13015
No. A0963-3/5
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PDF描述 |
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