- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录476 > MCH6321-TL-E (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MCH6321-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 83 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6321
ASO
IDP= --16A
PW ≤ 10 μ s
10
0 μ
s
1m
ID= --4A
s
ms
3 10
10
DC
op
--1.0 0m
e a r
tio
n(
Ta
=
Operation in this area
25
° C
Ta=25 ° C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (1200mm 2 × 0.8mm)
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
1.6
1.5
1.4
0
VDS= --10V
ID= --4A
1
VGS -- Qg
2 3
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
4
5
IT13028
3
2
--10
7
5
2
5
3
2
7
5
3
2
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
7 s
--0.1 is limited by RDS(on). )
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13029
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40 60 80 100 120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
140 160
IT13030
No. A0963-4/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6331-TL-E | MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6 |
| MCH6336-TL-H | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 |
| MCH6337-TL-H | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 |
| MCH6341-TL-E | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6 |
| MCH6341-TL-H | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6321-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4A 20V 1.8V DRIVE MCP - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - PCH 4A 20V 1.8V DRIVE MCP |
| MCH6325 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6331 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6331_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6331-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。