参数资料
型号: MCH6341-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 59 毫欧 @ 3A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
MCH6341
--5.0
ID -- VDS
--6
ID -- VGS
--4.5
--4.0
--3
. 5V
--5
VDS= --10V
--3.5
--3.0
--4
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--3.0V
VGS= --2.5V
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13379
Ta=25°C
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13380
140
120
140
120
= --1
.0V
= --4
VGS = --1
.5V
= --4
VGS --3.0A
, I D=
100
80
60
ID= --1.5A
--3.0A
100
80
60
VGS
= --10V
, ID
.5A
, ID
.5A
40
20
0
40
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --10V
IT13381
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13382
5
3
=-
5 °
3
2
Ta
-2
C
75
° C
2
--1.0
7
5
1.0
7
25
° C
3
2
5
3
2
0.1
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
VDD= --15V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13383
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13384
f=1MHz
100
VGS= --10V
7
7
5
3
tf
td(off)
5
3
Ciss
2
2
10
7
tr
td(on)
100
7
Coss
Crss
5
5
3
2
3
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT13385
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13386
No. A1272-3/7
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