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参数资料
| 型号： | MCH6341-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6341
0 μ
1m
ms
0m
a=
25
° C
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
VDS= --15V
ID= --5A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
ASO
IDP= --20A
ID= --5A
DC
op
Operation in this
area is limited by RDS(on).
er
ati
10
on
(T
10
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
)
--2
--1
0
7
5
3
2
--0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
--0.01 2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5
2.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT13387
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13895
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13896
No. A1272-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6344-TL-H | MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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