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参数资料
| 型号： | MCH6421-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5.5A 20V MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6421
4.5
ID -- VDS
4.5
ID -- VGS
VDS=10V
4.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.8V
1.5V
VGS=1.2V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120
110
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13836
Ta=25°C
110
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13837
100
90
=0.5
=1.8
=1.0
=2.5
2.0A
=4.5V
90
80
70
60
50
40
ID=0.5A
1.0A
2.0A
80
70
60
50
40
A
V, I D
VGS
V, I D
VGS
, I D=
V GS
A
30
20
10
0
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT13838
7
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13839
5
VDS=10V
5
VGS=0V
3
3
2
-25
° C
° C
2
1.0
Ta
=-
25
° C
75
1.0
7
5
3
7
5
3
2
0.1
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13840
VDD=10V
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13841
f=1MHz
3
VGS=4.5V
7
2
100
7
5
3
Ciss
5
3
2
td(off)
tf
2
10
7
td(on)
tr
100
7
C os s
C rs s
5
3
2
5
3
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT13842
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13843
No. A1264-3/7
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