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参数资料
| 型号： | MCH6421-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5.5A 20V MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6421
era
0 μ
1m
ms
0m
n(
Ta
25
° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS=10V
ID=5.5A
VGS -- Qg
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=22A
ID=5.5A
DC
op
tio
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
10
s
=
PW≤10μs
10
s
s
)
0.1
1.0
7
5
0.5
0
3
2
0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 ? 0.8mm)
0
1
2
3
4
5
6
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
1.6
1.5
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13853
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 ? 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13854
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13855
No. A1264-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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