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参数资料
| 型号： | MCH6431-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6431
op
10
1m μ s
10
0m
a=
25
° C
10
9
8
7
6
5
4
3
2
VDS=10V
ID=5A
VGS -- Qg
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
ASO
IDP=20A (PW ≤ 10 μ s)
ID=5A
DC
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
er
ati
10
on
(T
s
ms
s
)
0
10
μ s
Single pulse
(1200mm 2 × 0.8mm)
0.01
1
0
0
1
2
3
4
5
6
3
0.01
2 When mounted on ceramic substrate
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
5 7 10
2 3
5
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16009
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16010
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16011
No. A1852-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6436-TL-E | MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCH6436_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6436-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6437 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6437_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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