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参数资料
| 型号： | MCH6448-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 705pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Ordering number : ENA2004A
MCH6448
N-Channel Power MOSFET
20V, 8A, 22m Ω , Single MCPH6
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=17m Ω (typ.)
1.2V drive
Halogen free compliance
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
20
±9
8
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm)
32
1.5
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7022A-009
Product & Package Information
? Package : MCPH6
? JEITA, JEDEC : SC-88, SC-70-6, SOT-363
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6
2.0
5
4
0.15
MCH6448-TL-H
Packing Type : TL
Marking
0 to 0.02
ZX
1
0.65
2
3
0.3
1 : Drain
TL
Electrical Connection
1, 2, 5, 6
2 : Drain
1
6
2
5
3
4
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
MCPH6
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
62712 TKIM/20112PE TKIM TC-00002664 No. A2004-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6602-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6604-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| MCH6613-TL-E | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6660-TL-H | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 |
| MCH6662-TL-H | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6534 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Switching, Driver Applications |
| MCH6534-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN+NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH6536 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Push-Pull Circuit Applications |
| MCH6536_08 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Push-Pull Circuit Applications |
| MCH6536-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP+NPN 0.5A 12V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistors Bipolar - BJT 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP PNP+NPN 0.5A 12V |
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