- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录476 > MCH6448-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MCH6448-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 705pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6448
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±7.2V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
ID=4A, VGS=4.5V
0.3
7.7
17
1.0
22
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=2A, VGS=2.5V
ID=1A, VGS=1.8V
ID=0.5A, VGS=1.2V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=8A
IS=8A, VGS=0V
20
26
62
705
150
125
6
47
103
81
11.2
1.3
2.8
0.8
28
39
124
1.2
m Ω
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4A
RL=2.5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
MCH6448
Ordering Information
Device
MCH6448-TL-H
Package
MCPH6
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A2004-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6602-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6604-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| MCH6613-TL-E | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6660-TL-H | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 |
| MCH6662-TL-H | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6534 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Switching, Driver Applications |
| MCH6534-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN+NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH6536 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Push-Pull Circuit Applications |
| MCH6536_08 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Push-Pull Circuit Applications |
| MCH6536-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP+NPN 0.5A 12V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistors Bipolar - BJT 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP PNP+NPN 0.5A 12V |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。