- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95924 > MCH6601 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCH6601 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | MCH6601 |
MCH6601
No.6458-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
24
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
55
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
120
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
130
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
1.43
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
0.18
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
0.25
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--100mA, VGS=0V
--0.83
--1.2
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7022A-006
Switching Time Test Circuit
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : MCPH6
2.0
0.25
1.6
2.1
0.25
0.85
0.3
0.65
0.15
0 to 0.02
0.07
65
4
12
3
65
4
12
3
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --50mA
RL=300
VDD= --15V
VOUT
D
MCH6601
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
0
--0.01
--0.02
--0.03
--0.04
--0.06
--0.07
--0.08
--0.09
--0.10
--0.4
--0.05
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
VGS= --1.5V
--3.5V
--6.0V
--2.0V
--4.0V
--3.0V
--2.5V
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--4.0
--3.5
0
--0.02
--0.04
--0.06
--0.08
--0.10
--0.12
--0.14
--0.16
--0.18
--0.20
VDS= --10V
IT00077
IT00078
T
a=
--25
°C
25
°C
75
°C
65
4
12
3
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
Top view
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6602 | 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6602 | 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6603 | 140 mA, 50 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6604 | 250 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6604 | 250 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6601_06 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6601-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6602 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6602_07 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。