- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11658 > MCHC908QT4CDWE (Freescale Semiconductor)IC MCU 4K FLASH W/ADC 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCHC908QT4CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 112/184页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 4K FLASH W/ADC 8-SOIC |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 724 (CN2011-ZH PDF) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页当前第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
33
2.6 FLASH Memory (FLASH)
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from a single external supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The FLASH memory consists of an array of 4096 or 1536 bytes with an additional 48 bytes for user
vectors. The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of
FLASH memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase
operations are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these
operations appear later in this section. The address ranges for the user memory and vectors are:
$EE00 – $FDFF; user memory, 4096 bytes: MC68HC908QY4 and MC68HC908QT4
$F800 – $FDFF; user memory, 1536 bytes: MC68HC908QY2, MC68HC908QT2,
MC68HC908QY1 and MC68HC908QT1
$FFD0 – $FFFF; user interrupt vectors, 48 bytes.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0.
A security feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D38999/20JJ46PN | CONN RCPT 46POS WALL MNT W/PINS |
| MS27497T18B96S | CONN RCPT 9POS WALL MNT W/SCKT |
| VE-JN4-IY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W |
| MS27468T23B53S | CONN RCPT 53POS JAM NUT W/SCKT |
| MS27468E23B53S | CONN RCPT 53POS JAM NUT W/SCKT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCHC908QT4CDWER | 功能描述:IC MCU 4K FLASH W/ADC 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB（8K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285 |
| MCHC908QT4MDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC908QT4VDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC908QT4VDWE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HC08 8MHZ SOIC-8 |
| MCHC908QT4VDWER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。