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参数资料
| 型号： | MCHC908QT4CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 115/184页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 4K FLASH W/ADC 8-SOIC |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 724 (CN2011-ZH PDF) |
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Memory
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 6
36
Freescale Semiconductor
8.
Wait for time, tPROG (minimum 30 μs).
9.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
10.
Clear the PGM bit(1).
11.
Wait for time, tNVH (minimum 5 μs).
12.
Clear the HVEN bit.
13.
After time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
The COP register at location $FFFF should not be written between
steps 5–12, when the HVEN bit is set. Since this register is located at a
valid FLASH address, unpredictable behavior may occur if this location is
written while HVEN is set.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order shown, other unrelated operations may
2.6.5 FLASH Protection
Due to the ability of the on-board charge pump to erase and program the FLASH memory in the target
application, provision is made to protect blocks of memory from unintentional erase or program operations
due to system malfunction. This protection is done by use of a FLASH block protect register (FLBPR).
The FLBPR determines the range of the FLASH memory which is to be protected. The range of the
protected area starts from a location defined by FLBPR and ends to the bottom of the FLASH memory
($FFFF). When the memory is protected, the HVEN bit cannot be set in either ERASE or PROGRAM
operations.
NOTE
In performing a program or erase operation, the FLASH block protect
register must be read after setting the PGM or ERASE bit and before
asserting the HVEN bit.
When the FLBPR is programmed with all 0 s, the entire memory is protected from being programmed and
erased. When all the bits are erased (all 1’s), the entire memory is accessible for program and erase.
When bits within the FLBPR are programmed, they lock a block of memory. The address ranges are
shown in 2.6.6 FLASH Block Protect Register. Once the FLBPR is programmed with a value other than
$FF, any erase or program of the FLBPR or the protected block of FLASH memory is prohibited. Mass
erase is disabled whenever any block is protected (FLBPR does not equal $FF). The FLBPR itself can be
erased or programmed only with an external voltage, VTST, present on the IRQ pin. This voltage also
allows entry from reset into the monitor mode.
2. The time between each FLASH address change, or the time between the last FLASH address programmed to clearing
PGM bit, must not exceed the maximum programming time, tPROG maximum.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MCHC908QT4CDWER | 功能描述:IC MCU 4K FLASH W/ADC 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:1 系列:87C 核心处理器:MCS 51 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:SIO 外围设备:- 输入/输出数:32 程序存储器容量:8KB（8K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 数据转换器:- 振荡器型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:44-DIP 包装:管件 其它名称:864285 |
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| MCHC908QT4VDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC908QT4VDWE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HC08 8MHZ SOIC-8 |
| MCHC908QT4VDWER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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