参数资料
型号: MCIMX257CJN4A
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 68/153页
文件大小: 0K
描述: IC MPU I.MX25 AUTO 347MAPBGA
标准包装: 189
系列: i.MX25
核心处理器: ARM9
芯体尺寸: 32-位
速度: 400MHz
连通性: 1 线,CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,MMC,智能卡,SPI,SSI,UART/USART,USB OTG
外围设备: DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 128
程序存储器类型: 外部程序存储器
RAM 容量: 144K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.15 V ~ 1.52 V
数据转换器: A/D 3x12b
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 347-LFBGA
包装: 托盘
i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
21
NOTE
The term ‘OVDD’ in this section refers to the associated supply rail of an
input or output. The association is shown in the “Signal Multiplexing”
chapter of the reference manual.
3.5.1
DDR I/O DC Parameters
The DDR pad type is configured by the IOMUXC_SW_PAD_CTL_GRP_DDRTYPE register (see the
External Signals and Pin Multiplexing chapter of the i.MX25 Reference Manual for details).
3.5.1.1
DDR_TYPE = 00 Standard Setting DDR I/O DC Parameters
Table 17 shows the I/O parameters for mobile DDR. These settings are suitable for mDDR and DDR2
1.8V (
± 5%) applications.
Table 17. Mobile DDR I/O DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
High-level output voltage
Voh
IOH = –1mA
IOH = Specified Drive
OVDD – 0.08
0.8
× OVDD
——
V
Low-level output voltage
Vol
IOL = 1mA
IOL = Specified Drive
——
0.08
0.2
× OVDD
V
High-level output current
I
Ioh
Voh = 0.8
× OVDDV
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
–3.6
–7.2
–10.8
——
mA
Low-level output current
I
Iol
Vol = 0.2
× OVDDV
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
3.6
7.2
10.8
——
mA
High-level DC CMOS input voltage
VIH
0.7
× OVDD
OVDD
OVDD+0.3
V
Low-level DC CMOS input voltage
VIL
–0.3
0
0.3
× OVDD
V
Differential receiver VTH+
VTH+
100
mV
Differential receiver VTH-
VTH-
–100
mV
Input current (no pull-up/down)
IIN
VI = 0
VI = OVDD
——
110
60
nA
High-impedance I/O supply current
Icc-ovdd
VI = OVDD or 0
990
nA
High-impedance core supply current
Icc-vddi
VI = VDD or 0
1220
nA
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