参数资料
型号: MCIMX31CVKN5DR2
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 32/118页
文件大小: 0K
描述: IC MCU I.MX31 400MHZ 457TMAP
标准包装: 1,000
系列: i.MX31
核心处理器: ARM11
芯体尺寸: 32-位
速度: 532MHz
连通性: 1 线,ATA,EBI/EMI,FIR,I²C,MMC/SD,PCMCIA,SIM,SPI,SSI,UART/USART,USB,USB OTG
外围设备: DMA,LCD,POR,PWM,WDT
程序存储器类型: ROMless
RAM 容量: 16K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.22 V ~ 3.3 V
振荡器型: 外部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 457-LFBGA
包装: 带卷 (TR)
MCIMX31/MCIMX31L Technical Data, Rev. 4.3
20
Freescale Semiconductor
Electrical Characteristics
4.2.2
Powering Down
For silicon revisions beginning with Revision 2.0.1 there is no special requirements for the power down
sequence.
4.3
Module-Level Electrical Specifications
This section contains the MCIMX31 electrical information including timing specifications, arranged in
alphabetical order by module name.
4.3.1
I/O Pad (PADIO) Electrical Specifications
This section specifies the AC/DC characterization of functional I/O of the MCIMX31. There are two main
types of I/O: regular and DDR. In this document, the “Regular” type is referred to as GPIO.
4.3.1.1
DC Electrical Characteristics
The MCIMX31 I/O parameters appear in Table 14 for GPIO. See Table 8 for temperature and supply
voltage ranges.
NOTE
The term NVCC in this section refers to the associated supply rail of an
input or output. The association is shown in the Signal Multiplexing chapter
of the reference manual. NVCC for Table 14 refers to NVCC1 and
NVCC3–10; QVCC refers to QVCC, QVCC1, and QVCC4.
Table 14. GPIO DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = –1 mA
NVCC –0.15
V
IOH = specified Drive
0.8*NVCC
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
0.15
V
IOL = specified Drive
0.2*NVCC
V
High-level output current, slow slew rate
IOH_S
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
–2
–4
–8
——
mA
High-level output current, fast slew rate
IOH_F
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
–4
–6
–8
——
mA
Low-level output current, slow slew rate
IOL_S
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
2
4
8
——
mA
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