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参数资料
型号： MCIMX31CVKN5DR2
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 33/118页
文件大小： 0K
描述： IC MCU I.MX31 400MHZ 457TMAP
标准包装： 1,000
系列： i.MX31
核心处理器： ARM11
芯体尺寸： 32-位
速度： 532MHz
连通性： 1 线，ATA，EBI/EMI，FIR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG
外围设备： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存储器类型： ROMless
RAM 容量： 16K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.22 V ~ 3.3 V
振荡器型： 外部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 457-LFBGA
包装： 带卷 (TR)
Electrical Characteristics
MCIMX31/MCIMX31L Technical Data, Rev. 4.3
Freescale Semiconductor
21
The MCIMX31 I/O parameters appear in Table 15 for DDR (Double Data Rate). See Table 8, "Operating
Ranges," on page 13 for temperature and supply voltage ranges.
NOTE
NVCC for Table 15 refers to NVCC2, NVCC21, and NVCC22.
Low-level output current, fast slew rate
IOL_F
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
4
6
8
——
mA
High-Level DC input voltage
VIH
—
0.7*NVCC
—
NVCC
V
Low-Level DC input voltage
VIL
—0
—
0.3*QVCC
V
Input Hysteresis
VHYS
Hysteresis enabled
0.25
—
V
Schmitt trigger VT+
VT +
Hysteresis enabled
0.5*QVCC
—
V
Schmitt trigger VT–
VT –
Hysteresis enabled
—
0.5*QVCC
V
Pull-up resistor (100 k
Ω PU)
RPU
—
100
—
k
Ω
Pull-down resistor (100 k
Ω PD)
RPD
—
100
—
Input current (no PU/PD)
IIN
VI = NVCC or GND
—
±1
μA
Input current (100 k
Ω PU)
IIN
VI = 0
VI = NVCC
——
25
0.1
μA
Input current (100 k
Ω PD)
IIN
VI = 0
VI = NVCC
——
0.25
28
μA
Tri-state leakage current
IOZ
VI = NVCC or GND
I/O = High Z
——
±2
μA
Table 15. DDR (Double Data Rate) I/O DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = –1 mA
NVCC –0.12
—
V
IOH = specified Drive
0.8*NVCC
—
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.08
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVCC
V
High-level output current
IOH
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
DDR Drive1
–3.6
–7.2
–10.8
–14.4
——
mA
Low-level output current
IOL
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
DDR Drive1
3.6
7.2
10.8
14.4
——
mA
Table 14. GPIO DC Electrical Parameters (continued)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
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