参数资料
型号: MCIMX515DVK8C
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 125/202页
文件大小: 0K
描述: IC MPU I.MX51 527MABGA
标准包装: 160
系列: i.MX51
核心处理器: ARM? Cortex?-A8
芯体尺寸: 32-位
速度: 800MHz
连通性: 1 线,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,MMC,SPI,SSI,UART/USART,USB OTG
外围设备: DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 128
程序存储器类型: ROMless
RAM 容量: 128K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 0.8 V ~ 1.15 V
振荡器型: 外部
工作温度: -20°C ~ 85°C
封装/外壳: 527-LFBGA
包装: 托盘
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Electrical Characteristics
i.MX51 Applications Processors for Consumer and Industrial Products, Rev. 6
Freescale Semiconductor
29
The UHVIO pads receive supply voltage up to 3.3V (3.6V max); however, the pads do not toggle
during the boot-up sequence (using another interface as a boot code source), for boot-up period of
about 22 msec.
The UHVIO pads receive up to 3.15V (3.3V max) and are used for accessing the boot code, for
boot-up period of about 11 msec.
In any case, it is recommended to try to minimize the duration of this period and reduce the amount of
toggling on the pads as much as possible. For this, it is recommended to add proper HVE bit programming
to the DCD boot-up tables. DCD is a table located in the start of the image that can hold up to 60
address/values. ROM code reads addresses and writes values to it. This space should be sufficient to
reprogram the NAND Flash pads for HVE bits.
4.3.5
I2C I/O DC Parameters
NOTE
See the errata for HS-I2C in i.MX51 Chip Errata document. The two
standard I2C modules have no errata.
The DC Electrical Characteristics listed in Table 22 are guaranteed using operating ranges per Table 13,
unless otherwise noted.
4.3.6
USBOTG Electrical DC Parameters
This section describes the electrical DC parameters of USBOTG.
Table 22. I2C Standard/Fast/High-Speed Mode Electrical Parameters for Low/Medium Drive Strength
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Low-level output voltage
Vol
Iol = 3 mA
0.4
V
High-Level DC input voltage 1
1 To maintain a valid level, the transitioning edge of the input must sustain a constant slew rate (monotonic) from the current
DC level through to the target DC level, VIL or VIH. Monotonic input transition time is from 0.1 ns to 1 s.
VIH
0.7
× OVDD
OVDD
V
Low-Level DC input voltage1
VIL
0
0.3
× OVDD
V
Input Hysteresis
VHYS
0.25
V
Schmitt trigger VT+1,2
2 Hysteresis of 250 mV is guaranteed over all operating conditions when hysteresis is enabled.
VT+
0.5
× OVDD
V
Schmitt trigger VT– 1,2
VT–
0.5
× OVDD
V
I/O leakage current (no pull-up)
Iin
VI = OVDD or 0
See Note 3
3 I/O leakage currents are listed in Table 25.
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